传感器芯片的结构

硅芯片受压部（硅隔膜）与通常的IC制作工艺相同，利用杂质扩散原理形成硅应变片。
当向硅芯片施加压力时，电阻应变片的电阻值会随着其变形而改变，并转换为电信号。（压阻效应）
该应变片有灵敏系数较大的特征。（相对于金属应变片的2～3，硅应变片为几10～100）。
因此能够得到较高的输出，从而使隔膜的厚度可以制作得更大，提高了压力传感器的耐压性。

对象机型

半导体式压力传感器
VSW2（低压用）等

半导体隔膜式压力传感器的结构与动作说明

半导体隔膜式压力传感器采用双重隔膜方式，由直接与测量介质接触的高耐腐蚀性金属隔膜（相当于Hastelloy哈氏合金C-22、SUS316L等）与通过封入的硅油检测压力的硅芯片（硅隔膜）构成。
通过压力导入口直接与测量介质接触的是SUS316L隔膜（或相当于Hastelloy哈氏合金C-22等），介质（空气、水、油及其他）不会浸入其中，能够稳定测量。［连接螺丝的形状为G3/8时，与配管间采用O型圈密封（氟橡胶）。］

特点

• 可以制作能够测量正压、负压、连成压、绝对压力的各种传感器元件
• 直接接触介质的受压部可以采用相当于Hastelloy哈氏合金C-22、SUS316L的材料制作，因此，耐腐蚀性能优良
• 用于检测压力的硅芯片，其隔膜厚度较大，因此，具有优良的耐压性能

对象机型

半导体隔膜式压力传感器
VESW, VESX, VESY, VESZ, VHR3, VHG3, VAR3, VAG3, VPNPG, VNF, HS1, HV1, AS1, AV1, NS1, NV1, VESI, VESV, VSW2, VST 等

应变片式压力传感器的结构与动作说明

在受压部金属隔膜的内侧粘贴左图的电桥，金属隔膜的形变会随着压力的施加而改变，检测出由此带来的电压变化。
即使在金属隔膜面内，形变量的大小也并不一样，因此采用在四个位置粘贴电阻的结构，这样即使形变量不均匀，也能准确地进行检测。

特点

• 隔膜采用无焊缝及O型圈接缝的一体式结构，非常坚固，使用寿命长
• 支持高精度、高温（150℃）的制作

对象机型

应变片式压力传感器
VSD4, NSMS-A6VB, HSSC, HSSC-A6V, VHS, VHST, HSMC2, HSMC, VPE, VPB, VPRT, VPRTF, VPRQ, VPRQF, VPVT, VPVTF, VPVQ, VPVQF, VPRF, VFM, VF, VFS, VTRF, VPRF2, VPRH2 等

薄膜式压力传感器的结构与动作说明

本公司的薄膜式压力传感器为隔膜式，采用金属薄膜应变片。从压力导入口施加压力后，隔膜发生变形，从而使隔膜上形成的金属薄膜应变片产生形变，检测由此产生的电阻值变化。
与应变片式压力传感器相比，可获得更高灵敏度的输出，另外，与半导体式压力传感器相比，具有温度系数小的特点。

特点

• 由于温度系数恒定，因此温度特性非常优良
• 随时间的变化较小，能够得到长期稳定的输出
• 支持高温环境

对象机型

VSW2

测量原理

在输入端有电流的状态下，向金属薄膜应变片上施加压力，则在输出端表现出电信号的变化。