アンプ内蔵圧力センサシリーズのご紹介

半導体式圧力センサの構造と動作説明Structural Schematics for Pressure Sensors

半導体式圧力センサの構造と動作説明
Structural schematics for Semi-conducting pressure sensors

センサチップの構造

センサチップの構造
シリコンチップ受圧部(シリコンダイアフラム)には、通常のIC製作工程と同様に不純物拡散によってシリコンゲージが形成されています。
シリコンチップに圧力が加わると、そのたわみに応じ、ゲージ抵抗が変化し電気信号に変換されます。(ピエゾ抵抗効果)
このゲージは、ゲージ率が大きいという特徴があります。(金属ゲージは2〜3に対し、シリコンゲー ジは数10〜100)。
このため高い出力を得られれることから、厚いダイアフラムでの製作が可能となり、圧力センサの耐圧性が向上しています。

対象機種
半導体式圧力センサ
VDP4, VSR3(G3), VSW2(低圧用), VPMR, VPMG など


半導体隔膜式圧力センサの構造と動作説明
半導体隔膜式圧力センサとは、直接測定媒体と接する耐腐食性の高い金属ダイアフラム(ハステロイC22やSUS316Lなど)と、封入されているシリコンオイルを介して圧力を検出するシリコンチップ(シリコンダイアフラム)からなる二重ダイアフラム方式が採用されているものをいいます。

圧力導入口を通じて直接、測定媒体と接するのはSUS316Lダイアフラム(またはハステロイC22など)であり、それを浸さない媒体(エアー、水、油、その他)を安定して計測することができます。[接続ネジ形状G3/8時は配管とのシールにOリング(フッ素ゴム)を使用いたします。]

特長
●加圧・負圧・連成圧・絶対圧の測定ができる各種センサエレメントの製作が可能
●直接媒体に接する受圧部材質はハステロイC22、SUS316Lで製作可能なため、耐腐食性能が優れている
●圧力を検出するシリコンチップのダイアフラムが厚いため、耐圧性能が優れている

対象機種
半導体隔膜式圧力センサ
VESW, VESX, VESY, VESZ, VHR3, VHG3, VPRHP, VNF, HS1, HV1, VESI, VESV, VSW2 など

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